| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 9817714 | 1518771 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ultra-shallow junction formation by B18H22 ion implantation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوشش‌ها و فیلم‌ها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Analysis of the blank wafers indicated that B18HX+ showed the same or better characteristics than B+ in junction depth and sheet resistance. Post-processing electrical measurements of the pMOSFETs implanted with B18HX+ showed that they performed with nearly identical characteristics as ones implanted with B+.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 237, Issues 1â2, August 2005, Pages 25-29
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 237, Issues 1â2, August 2005, Pages 25-29
نویسندگان
Y. Kawasaki, T. Kuroi, T. Yamashita, K. Horita, T. Hayashi, M. Ishibashi, M. Togawa, Y. Ohno, M. Yoneda, Tom Horsky, Dale Jacobson, Wade Krull,