کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9817722 | 1518771 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Implantation and annealing of aluminum in 4H silicon carbide
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Aluminum ions with a dose between 1.2 Ã 1014 cmâ2 and 1.2 Ã 1015 cmâ2 were implanted into 4H silicon carbide at room temperature, 650 °C, and 800 °C. High temperature furnace and lamp annealing of the implanted samples were investigated with respect to sheet resistance, hole mobility and free hole concentration. For an aluminum dose of 1.2 Ã 1015 cmâ2 implanted at room temperature and subsequent furnace annealing at 1700 °C for 30 min, a sheet resistance of about 34 kΩ/â¡ and for lamp annealing at 1770 °C for 5 min, a slight increased sheet resistance of 38 kΩ/â¡ was obtained. Increasing implantation temperature to 800 °C and postimplantation furnace annealing resulted in a decreased sheet resistance of 18 kΩ/â¡.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 237, Issues 1â2, August 2005, Pages 68-71
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 237, Issues 1â2, August 2005, Pages 68-71
نویسندگان
M. Rambach, F. Schmid, M. Krieger, L. Frey, A.J. Bauer, G. Pensl, H. Ryssel,