کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9817732 | 1518771 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ultra shallow junction formation and dopant activation study of Ga implanted Si
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this paper we investigate using secondary ion mass spectrometry (SIMS), spreading resistance profiling (SRP) and Hall effect measurements, the alternate p-type dopant species of Ga and its behaviour in the energy range 2-5Â keV, implanted into both single crystal Si and pre-amorphised material.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 237, Issues 1â2, August 2005, Pages 121-125
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 237, Issues 1â2, August 2005, Pages 121-125
نویسندگان
R. Gwilliam, S. Gennaro, G. Claudio, B.J. Sealy, C. Mulcahy, S. Biswas,