کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9818227 | 1518777 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Studying of trap levels by the use of focused ion beams
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have shown in these experiments that it is possible to distinguish between electron and hole traps by doing the excitation in the vicinity of the appropriate electrode. In conjunction with the ion beam induced charge (IBIC) and time-resolved IBIC (TRIBIC) technique such experiments can be used to characterize semiconductor materials in a more detailed way.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 231, Issues 1â4, April 2005, Pages 486-490
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 231, Issues 1â4, April 2005, Pages 486-490
نویسندگان
Z. MeduniÄ, Ž. PastuoviÄ, M. JakÅ¡iÄ, N. Skukan,