کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9818232 | 1518777 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Lateral IBIC analysis of GaAs Schottky diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
By fitting the CCE profiles with the equations derived by the Shockley-Ramo-Gunn's theorem, drift lengths of electrons and holes were obtained. Experimental results are consistent with previous OBIC (Optical Beam Induced Current) and SP (Surface Potential) measurements and confirm the model based on the formation of a Mott barrier due to the enhanced electron capture cross section in high field conditions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 231, Issues 1â4, April 2005, Pages 513-517
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 231, Issues 1â4, April 2005, Pages 513-517
نویسندگان
E. Vittone, P. Olivero, F. Nava, C. Manfredotti, A. Lo Giudice, F. Fizzotti, G. Egeni,