کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
9818232 1518777 2005 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Lateral IBIC analysis of GaAs Schottky diodes
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سطوح، پوشش‌ها و فیلم‌ها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Lateral IBIC analysis of GaAs Schottky diodes
چکیده انگلیسی
By fitting the CCE profiles with the equations derived by the Shockley-Ramo-Gunn's theorem, drift lengths of electrons and holes were obtained. Experimental results are consistent with previous OBIC (Optical Beam Induced Current) and SP (Surface Potential) measurements and confirm the model based on the formation of a Mott barrier due to the enhanced electron capture cross section in high field conditions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 231, Issues 1–4, April 2005, Pages 513-517
نویسندگان
, , , , , , ,