کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9821519 | 1518986 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Simulation of silicon etching through a fluorocarbon layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Reactive ion etching (RIE) of silicon in a CF4+H2 plasma is considered by a proposed model, which includes processes of adsorption, activation, chemical reactions, relaxation, desorption, sputtering, and mixing. Transport of species through a fluorocarbon layer is explained by surface energy induced mixing. It is found that steady-state RIE rate of silicon in CF4+H2 plasma does not depend on thickness of fluorocarbon layer. The adsorption of reactive species from the plasma on the fluorocarbon layer is the etching-rate limiting process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 79, Issues 3â4, 19 August 2005, Pages 119-123
Journal: Vacuum - Volume 79, Issues 3â4, 19 August 2005, Pages 119-123
نویسندگان
R. KnizikeviÄius,