کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9821614 | 1518988 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Application of laser ion source for ion implantation technology
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The subject of this contribution is a study of the application of laser-produced ion streams for implantation into different materials. The laser-produced plasma has been used as a source of ions with different charge states and with different kinetic energies for ion implantation into various materials: metals, polymers and semiconductors, in order to modify their properties. The implantation depth was measured using Rutherford backscattering spectroscopy (RBS).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 78, Issues 2â4, 30 May 2005, Pages 435-438
Journal: Vacuum - Volume 78, Issues 2â4, 30 May 2005, Pages 435-438
نویسندگان
M. RosiÅski, J. Badziak, F.P. Boody, S. Gammino, H. Hora, J. Krása, L. Láska, A.M. Mezzasalma, P. Parys, K. Rohlena, L. Torrisi, J. Ullschmied, J. WoÅowski, E. Woryna,