کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9821627 | 1518988 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Simulation of phosphorus ions interaction with Ge(1Â 0Â 0)-2Ã1 surfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The goal of this work is the simulation of possible structures, which phosphorus ions form during adsorption on the Ge surface. Results of quantum-chemical calculations of phosphorous ions (Pâ, P+) adsorption on clean ordered and disordered Ge(1Â 0Â 0)-(2Ã1) surfaces are presented in this work. Adsorption barriers for phosphorous ions, electronic states of Ge(1Â 0Â 0)-(2Ã1) surface with adsorbed and implanted P ions are calculated. Comparative analysis of simulation results for clusters of various sizes is presented. Phosphorus is a typical dopant and its adsorption on Ge surface is an initial stage of diffusion into the subsurface layers of semiconductor.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 78, Issues 2â4, 30 May 2005, Pages 509-513
Journal: Vacuum - Volume 78, Issues 2â4, 30 May 2005, Pages 509-513
نویسندگان
Ol'ga Anan'yina, Olexandr Yanovs'ky,