کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9834609 | 1524912 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study on the transport properties of MnGe(As1âxPx)2 grown on GaAs(1Â 0Â 0)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Study on the transport properties of MnGe(As1âxPx)2 grown on GaAs(1Â 0Â 0) Study on the transport properties of MnGe(As1âxPx)2 grown on GaAs(1Â 0Â 0)](/preview/png/9834609.png)
چکیده انگلیسی
We have successfully grown MnGe(As1âxPx)2 on GaAs(1 0 0) by molecular beam epitaxy (MBE) with a P3d/As2p XPS peak ratio ranging from 2.2 to 8.5. The transport properties of these MnGe(As1âxPx)2 films have been studied by Hall measurement and resistance measurement. The resistance measurements suggest the samples are semiconductors. The Hall slopes at high fields are positive, indicating carriers in the film are p-type. All the samples show anomalous Hall effects with negative Hall resistance, and the Hall resistances increase rather than decrease with temperature. Magnetoresistances (MRs) have positive sign and its MR ratio increases with temperature in the range from 300 to 380 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 286, February 2005, Pages 99-102
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 286, February 2005, Pages 99-102
نویسندگان
Y. Cui, J. Song, J. Lee, Y. Kim, J.B. Ketterson, S. Cho,