کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9844887 | 1526502 | 2005 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of voltages and electric fields in silicon radiation detectors using a scanning electron microscope
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
ابزار دقیق
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The paper describes qualitative and quantitative methods to measure voltages and electric fields in a biased silicon p+/nâ/n+ radiation detector with a scanning electron microscope using voltage-contrast phenomenon. The contrast is converted to voltage mathematically using simple equations. After splitting the detector, voltages and electric fields inside the detector can be imaged and measured. The results are compared with capacitance-voltage measurements and 2D electrical simulations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 555, Issues 1â2, 15 December 2005, Pages 411-419
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 555, Issues 1â2, 15 December 2005, Pages 411-419
نویسندگان
Kari Leinonen,