کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9845192 | 1526509 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Monolithic silicon pixel detectors in SOI technology
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
ابزار دقیق
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Monolithic silicon pixel detectors in SOI technology Monolithic silicon pixel detectors in SOI technology](/preview/png/9845192.png)
چکیده انگلیسی
This paper describes a monolithic silicon pixel detector for ionizing radiation manufactured using the Silicon On Insulator (SOI) technology. In this novel device, the sensor is implemented in a high resistive SOI bottom wafer while the associated CMOS read-out circuits are built in a SOI device layer. Preliminary measurements of simple test detectors are presented. They prove that the detector is working properly showing the typical sensitivity of a fully depleted Silicon detector.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 549, Issues 1â3, 1 September 2005, Pages 112-116
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 549, Issues 1â3, 1 September 2005, Pages 112-116
نویسندگان
J. Marczewski, M. Caccia, K. Domanski, P. Grabiec, M. Grodner, B. Jaroszewicz, T. Klatka, A. Kociubinski, M. Koziel, W. Kucewicz, K. Kucharski, S. Kuta, H. Niemiec, M. Sapor, M. Szelezniak, D. Tomaszewski,