کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9845371 | 1526512 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Studies of bulk damage induced in different silicon materials by 900Â Mev electron irradiation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
ابزار دقیق
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Silicon test structures manufactured on different substrate materials (standard and oxygenated float-zone, magnetic and non-magnetic Czochralski, epitaxial silicon) have been irradiated with 900Â MeV electrons up to a fluence of 6.1Ã1015e/cm2. Results are reported on the variation of the effective dopant concentration and of the leakage current density as a function of the electron fluence. The time evolution of the effective dopant concentration is also reported after thermal annealing cycles at 80âC.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 546, Issues 1â2, 1 July 2005, Pages 300-305
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 546, Issues 1â2, 1 July 2005, Pages 300-305
نویسندگان
S. Dittongo, L. Bosisio, D. Contarato, G. D'Auria, E. Fretwurst, J. Härkönen, G. Lindström, E. Tuovinen,