![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Copper diffusivity in boron-doped silicon wafer measured by dynamic secondary ion mass spectrometry
Keywords: 68.35 دیو; 61.72sh; 66.30Lw; 68.35Dv; 68.55Ln; Interstitial copper ion; Copper diffusivity; Boron-doped silicon; D-SIMS;