دانلود مقالات ISI درباره 81.15.g + ترجمه فارسی

Deposition of undoped indium oxide thin films on stripe-patterned substrates by spray CVD

Keywords: 81.15.G; 68.55.−aA1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Oxides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Radiation response behavior of high phosphorous doped step-index multimode optical fibers under low dose gamma irradiation

Keywords: 42.70.C; 42.81; 52.75.R; 81.15.G; 82.60:61.18.F; 78.20.COptical fibers; Chemical vapor deposition; Radiation effects; SEM S100; Defects; Absorption; Phosphates; Silicates; Radiation; Defects

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Chemistry of titanium incorporation in silica glass of optical preform for making of Ti doped optical fibre by the MCVD process

Keywords: 42.70.C; 42.81.Bm; 52.75.R; 81.15.G; 82.60.-sTitanium doped silica glass; Optical fibres; MCVD process; Chemical thermodynamics

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

MOCVD and characterization of Hf-silicate thin films using HTB and TEMAS

Keywords: 84.37; 52.75.R; 81.15.G; 77.55; 68.55.L; 77.84.BThin film transistors; Chemical vapor deposition; Silicates; X-ray diffraction

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Improving the emission characteristics of a carbon nanotube cathode in an aging process

Keywords: 61.46; 79.70; 81.15.G; Carbon nanotube; Field emission; Screen print;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Stable vapor transportation of solid sources in MOVPE of III-V compound semiconductors

Keywords: 72.80.E; 81.05.D; 81.15.G; A1. Characterization; A1. Growth models; A1. Vapor delivery; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Metalorganics; B1. Precursors; B1. Trimethylindium; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

The deposition and characterization of BCN films by cathodic arc plasma evaporation

Keywords: 77.84.B; 52.75.R; 81.15.G; 81.15; 68.55; 61.16.C; 79.60.D; 79.60; 61.16.BBoron carbon nitride; BCN s; Cathodic arc plasma; Thin films; Characterization; Microstructure

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effect of thickness on structural and electrical properties of GaN films grown on SiN-treated sapphire

Keywords: 81.15.G; 61.72.H; 81.04.LA1. HRXRD; A1. Mosaic; A1. Stress; B1. GaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

High optical quality IZO (In2Zn2O5) thin films by PLD – A novel development for III–V opto-electronic devices

Keywords: 68.55; 81.15.G; 73.60.F; 72.20; 72.80.ELaser epitaxy; Semiconducting materials; Thin film structure and morphology; Buffer layer on InP; Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Development of a novel high optical quality ZnO thin films by PLD for III–V opto-electronic devices

Keywords: 68.55; 81.15.G; 73.60.F; 4270; 72.80.ELaser epitaxy; Semiconducting materials; Thin film structure and morphology; Optical materials; Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

A simple growth route towards ZnO thin films and nanorods

Keywords: 81.15.G; 61.16.B; 78.55.E; A. Thin films; A. Nanostructures; C. Scanning and transmission electron microscopy; D. Photoluminescence;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Active nitrogen species dependence on radiofrequency plasma source operating parameters and their role in GaN growth

Keywords: 81.15.H; 52.75.R; 81.15.G; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Gas-flow assisted bulk synthesis of V-type SnO2 nanowires

Keywords: 81.15.G; 61.46; A1. Crystal morphology; A2. Growth from vapor; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Investigation of the mechanism of fractal growth of porous silicon dioxide layers from gas phase

Keywords: 52.75.R; 81.15.G; 82.65.F; Chemical vapor deposition; Fractal;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Characteristics of ferroelectric Sr0.7Bi2.1Ta2.0O9 thin films grown by liquid delivery metal organic chemical vapor deposition process

Keywords: 85.50; 81.15; 81.15.G; Ferroelectric properties; SBT; Thermal stability; Liquid delivery MOCVD;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Radial spherical ZnO structures with nanorods grown on both sides of a hollow sphere-like core

Keywords: 81.05; 81.15.G; 68.65; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. ZnO; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Structural characteristics and connection mechanism of gold-catalyzed bridging silicon nanowires

Keywords: 81.05.Y; 81.15.G; 81.20.K; A1. Bridging; A1. Nanowires; A3. Chemical vapor deposition; B3. Sensors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Influence of the nucleation layer morphology and epilayer structure on the resistivity of GaN films grown on c-plane sapphire by MOCVD

Keywords: 81.15.G; 71.55.E; 61.72.M; 81.65.C; 81.05.E; A1. Crystal structure; A1. Defects; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III-V materials; B3. High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Pulsed reactive chemical vapor deposition in the C-Ti-Si system from H2/TiCl4/SiCl4

Keywords: 81.15.G; 81.05.J; 68.65; 61.16.B; Chemical vapour deposition (CVD) (68); Carbides (57); Multilayers (299); Transmission electron microscopy (TEM) (496);

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth of nanocrystalline TiO2 films by MOCVD using a novel precursor

Keywords: 77.84.B; 78.66.J; 81.15.G; 81.20.K; A1. Nanocrystalline; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Thin films; A3. TiO2; B1. Novel precursor;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Structural and electrical properties of SiO2 films deposited on Si substrates from tetraethoxysilane/oxygen plasmas

Keywords: 52.75.R; 81.15.G; 84.37; 07.10.L; 73.20; Plasma processing and deposition; TEOS (tetraethoxysilane); Silicon dioxide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Controllable growth of individual, uniform carbon nanotubes by thermal chemical vapor deposition

Keywords: 52.75.R; 81.05; 81.15.G; Chemical vapor deposition; Individual carbon nanotubes; Synthesis;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

A novel nano-architecture for ZnO thin films on 〈100〉 Si, GaAs and InP single crystal wafers by L-MBE as value in nano-robotic (machining) device fabrication efforts

Keywords: 68.55; 81.15.G; 73.60.F; 72.20; 72.80.E; Laser epitaxy; Semiconducting materials; Thin film structure and morphology; Buffer layer on InP; Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

The mechanism of low temperature deposition of crystalline anatase by reactive DC magnetron sputtering

Keywords: Nanostructures; Sputtering; Clusters; Titanium oxide; 57.75.R; 81.15.G; 82.30.N; 81.15;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth kinetics study in halide chemical vapor deposition of SiC

Keywords: 82.60; 52.75.R; 81.15.G; 81.10.A; 81.10; A1. Growth models; A2. Chemical vapor deposition processes; A2. Growth from vapor; A2. Single crystal growth; B1. Silicon carbide; B2. Wide bandgap semiconductors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه