دانلود مقالات ISI درباره 81.15.gha1. Characterization + ترجمه فارسی

HRTEM investigation of high-reflectance AlN/GaN distributed Bragg-reflectors by inserting AlN/GaN superlattice

Keywords: 61.82.Fk; 68.65.Fg; 81.15.GhA1. Characterization; A3. Metal-organic chemical vapor deposition; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Photoluminescence emissions both in the visible and infrared spectra from thin, uncapped InN deposits

Keywords: 68.37.Ps; 68.55.A−; 78.66.Fd; 81.15.GhA1. Characterization; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Gas phase nucleation of crystalline silicon and their role in low-temperature deposition of microcrystalline films during hot-wire chemical vapor deposition

Keywords: 68.55.Ac; 81.15.GhA1. Characterization; A1. Crystallites; A1. Nucleation; A3. Chemical vapor deposition; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Thin MnO and NiO films grown using atomic layer deposition from ethylcyclopentadienyl type of precursors

Keywords: 61.10.Kw; 61.10.Nz; 78.30.Am; 81.15.GhA1. Characterization; A1. X-ray diffraction; A3. Atomic layer epitaxy; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

A new chemical path for fabrication of nanocrystalline diamond films

Keywords: 81.05.Uw; 81.07.−b; 81.07.Bc; 81.15.GhA1. Characterization; A3. Chemical vapor deposition process; B1. Diamond; B1. Nanomaterials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Sublimation growth of an in-situ-deposited layer in SiC chemical vapor deposition on 4H-SiC(1 1 2¯ 0)

Keywords: 68.37.Lp; 68.37.Ps; 68.47.Fg; 68.55.Ln; 68.49.Sf; 81.15.GhA1. Characterization; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hot-wall epitaxy; B1. Silicon carbide; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Safer alternative liquid germanium precursors for relaxed graded SiGe layers and strained silicon by MOVPE

Keywords: 81.10.Bk; 81.15.GhA1. Characterization; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; A3. Organometallic vapor-phase epitaxy; B1. Organo germanium compounds; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting germanium

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Characterization of AlN:Mn thin film phosphors prepared by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: 68.55.Jk; 68.55.Ln; 78.60.Hk; 78.66.Fd; 81.15.GhA1. Characterization; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Phosphors; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Zno-based thin films synthesized by atmospheric pressure mist chemical vapor deposition

Keywords: 61.72.Vv; 68.55.Jk; 72.80.Ey; 73.61.Ga; 78.66.Hf; 81.05.Dz; 81.15.GhA1. Characterization; A1. Crystal structure; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Oxides; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of single-domain GaN layers on Si(0 0 1) by metalorganic vapor-phase epitaxy

Keywords: 61.10.Nz; 68.55.Jk; 81.05.Ea; 81.15.GhA1. Characterization; A1. Crystal structure; A1. Substrates; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapour-phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه