Keywords: A1 شبیه سازی کامپیوتری; A1. Computer simulations; A1. Growth models; A1. Impurities; A1. Supersaturated solutions; A2. Crystal growth from solutions;
مقالات ISI A1 شبیه سازی کامپیوتری (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Features of oxide layer formation in high-aspect slot structures by means of MOCVD
Keywords: A1 شبیه سازی کامپیوتری; A1. Computer simulations; A3. Pulse MOCVD; B1. HfO2 Nanolayer; B1. MgO Nanolayer; B3. High-aspect slot structures
Modeling and simulation of silicon epitaxial growth in Siemens CVD reactor
Keywords: A1 شبیه سازی کامپیوتری; A1. Computer simulations; A1. Growth models; A1. Fluid flows; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Semiconducting silicon;
A simple approach to the polytypism in SiC
Keywords: A1 شبیه سازی کامپیوتری; A1. Computer simulations; A1. Crystal structure; A1. Defects; B2. Semiconducting silicon compounds
Theoretical investigations for the polytypism in semiconductors
Keywords: A1 شبیه سازی کامپیوتری; A1. Computer simulations; A1. Crystal structures; A1. Defects; B2. Semiconducting II-VI materials; B2. Semiconducting silicon compounds;
Control of multi-zone resistive heater in low temperature gradient BGO Czochralski growth with a weighing feedback, based on the global dynamic heat transfer model
Keywords: A1 شبیه سازی کامپیوتری; A1. Computer simulations; A1. Heat transfer; A1. Interfaces; A2. Czochralski method; B1. Oxides; B2. Dielectric materials;
Structural units of polycomponent melts modeled using diffraction, spectroscopy, and computation techniques
Keywords: A1 شبیه سازی کامپیوتری; 61.20.Gy; 61.20.Qg; 61.46.+w; A1. Computer simulations; A1. Low-dimensional structures; A1. Raman spectroscopy; A1. Synchrotron diffraction; A2. Crystallization from melt; B1. Complex oxides;
A fragmentation model for crystal attrition
Keywords: A1 شبیه سازی کامپیوتری; 81.10.AjA1. Attrition; A1. Computer simulations; A1. Continuous distribution kinetics; A1. Crystal growth and dissolution; A1. Crystal size distributions; A1. Growth models; A1. Moment and numerical solutions; A1. Population balance equations; A2. Crystal
Onset of crystalline order in oxygen clusters
Keywords: A1 شبیه سازی کامپیوتری; 36.40.Mr; 61.66.Bi; 81.10.Aj; A1. Computer simulations; B1. Elemental solids; B1. Nanostructures;
A distribution kinetics model of self-assembly: Effects of coalescence and solvent evaporation
Keywords: A1 شبیه سازی کامپیوتری; 81.10.Aj; A1. Coalescence; A1. Computer simulations; A1. Crystal growth and dissolution; A1. Crystal size distributions; A1. Drying mediated synthesis; A1. Growth models; A1. Kinetics; A1. Moment and numerical solutions; A1. Phase transformation; A1. Popu
From molten glass to crystallizable melt: The essence of structural evolution
Keywords: A1 شبیه سازی کامپیوتری; 61.20.Gy; 61.46.+w; 81.10.Aj; A1. Computer simulations; A1. Nucleation and crystallization models; A1. Raman spectroscopy; A1. Synchrotron diffraction; A2. Crystallization from melt; B1. Complex oxides;
Carrier gas and position effects on GaN growth in a horizontal HVPE reactor: An experimental and numerical study
Keywords: A1 شبیه سازی کامپیوتری; 81.15.Kk; 81.05.Ea; A1. Computer simulations; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. GaN; B2. Semiconducting gallium compounds;
Nucleation, growth, and coarsening for two- and three-dimensional phase transitions
Keywords: A1 شبیه سازی کامپیوتری; 81.10.Aj; A1. Computer simulations; A1. Crystal growth and dissolution; A1. Crystal size distributions; A1. Growth models; A1. Moment and numerical solutions; A1. Population balance equations;