Keywords: A1 میدان مغناطیسی; A1. Directional solidification; A1. Magnetic field; B1. Silicon; Metal impurities; Diffusion layer
مقالات ISI A1 میدان مغناطیسی (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: A1 میدان مغناطیسی; A1. Magnetic field; Calcite growth; Constant-composition technique; Temperature effect; Impurity effect
Synthesis and electrical transport properties of Bi2O2Se single crystals
Keywords: A1 میدان مغناطیسی; B1. Bithmus compound; A1. Crystal structure; B2. Semiconducting materials; A1. Magnetic field;
Atomic layer deposition of ferromagnetic iron oxide films on three-dimensional substrates with tin oxide nanoparticles
Keywords: A1 میدان مغناطیسی; A1. Crystal structure; A1. Magnetic field; A2. Growth from vapor; A3. Atomic layer epitaxy; B1. Nanomaterials; B2. Magnetic materials
Magnetic stabilization of melt flows in horizontal Bridgman configurations
Keywords: A1 میدان مغناطیسی; 47.20.Bp; 47.65.−dA1. Thermally induced flow; A1. Instability; A1. Magnetic field; A2. Bridgman technique; A2. Growth from melt
Growth of GaInSb concentrated alloys under alternating magnetic field
Keywords: A1 میدان مغناطیسی; 81.05.Ea; 87.64.Ee; 78.60.HkA1. Characterisation; A1. Magnetic field; A1. Solidification; B1. Alloys; B2. Semiconducting III–V materials
Effect of a weak polar misalignment of the magnetic field on the stabilization of the Hadley flow
Keywords: A1 میدان مغناطیسی; 47.20.Bp; 47.65.âd; A1. Instability; A1. Magnetic field; A1. Thermally induced flow;
An interpretation for high growth rates in electroepitaxial growth of GaAs under magnetic field
Keywords: A1 میدان مغناطیسی; 81.10.âh; 66.30.Qa; 83.60.Np; 47.35.Tv; 82.60.âs; A1. Growth models; A1. Magnetic field; A3. Electroepitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide;
Thermoelectromagnetic convection in vertical Bridgman grown germanium–silicon
Keywords: A1 میدان مغناطیسی; 47.65.+a; 45.70.Mg; 61.82.Fk; 64.75.+g; 72.15.Jf; 72.20.Pa; 72.80.Cw; 81.05.Cy; 81.10.Fq; 87.50.MnA1. Fluid flows; A1. Magnetic field; A1. Mass transfer; A1. Segregation; A1. Thermoelectromagnetic convection; B2. Semiconducting materials
Oxygen concentration in the Czochralski-grown crystals with cusp-magnetic field
Keywords: A1 میدان مغناطیسی; A1. Magnetic field; A1. Oxygen concentration; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon;
Growth interface of CdZnTe grown from Te solution with THM technique under static magnetic field
Keywords: A1 میدان مغناطیسی; 81.05.Dz; 81.10.Fq; A1. Growth interface; A1. Magnetic field; A1. Te solution; A2. Traveling heater method; B1. CdZnTe crystal;
Geostrophic turbulence in CZ silicon melt under CUSP magnetic field
Keywords: A1 میدان مغناطیسی; 81.10; 47.65; A2. Czochralski method; A1. Melt convection; A1. Turbulence; A1. Magnetic field;