دانلود مقالات ISI درباره A1. Reflectance Anisotropy Spectroscopy + ترجمه فارسی

In situ preparation of Si p-n junctions and subsequent surface preparation for III-V heteroepitaxy in MOCVD ambient

Keywords: A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. III/V-on-Si; A1. Reflectance anisotropy spectroscopy; A1. In-diffusion; A1. Surface structure; B3. P-n junction;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Optical in situ calibration of Sb for growing disordered GaInP by MOVPE

Keywords: A1. Reflectance Anisotropy Spectroscopy; B1. GaInP; B1. Sb; B2. Surfactant

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Indirect in situ characterization of Si(1 0 0) substrates at the initial stage of III–V heteroepitaxy

Keywords: A1. In situ monitoring; A1. Reflectance anisotropy spectroscopy; A1. Si(100) surfacestructure; A1. Transmission electron microscopy; A3. Polar on non-polarepitaxy; B1. Gallium phosphide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Reflectance anisotropy spectroscopy assessment of the MOVPE nucleation of GaInP on germanium (1 0 0)

Keywords: A1. Reflectance anisotropy spectroscopy; A1. Growth monitoring; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Phosphides; B2. Semiconducting germanium

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

GaP(1 0 0) and InP(1 0 0) surface structures during preparation in a nitrogen ambient

Keywords: A1. In situ monitoring; A1. Reflectance anisotropy spectroscopy; A1. Surface reconstruction; A3. Alternative process gas; B1. Gallium phosphide; B1. Indium phosphide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

In-situ monitoring of the p- and n-type doping in AlGaInP

Keywords: 81.05.Ea; 81.15.Gh; 81.70.Fy; 61.72.Vv; A1. Doping; A1. Reflectance anisotropy spectroscopy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. AlGaInP; B2. Semiconducting quaternary alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Homoepitaxial growth rate measurement using in situ reflectance anisotropy spectroscopy

Keywords: 68.55.Ln; 78.20.Jq; 78.30.Fs; 78.40.Fy; 78.66.Fd; 81.15.GhA1. Doping; A1. Reflectance anisotropy spectroscopy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Segregation and desorption of antimony in InP (0 0 1) in MOVPE

Keywords: A1. Reflectance anisotropy spectroscopy; A1. Segregation; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Indium antimony phosphide; B1. Indium phosphide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

MOVPE growth investigations of doping and ordering in AlGaAs and GaInP with reflectance anisotropy spectroscopy

Keywords: 81.05.Ea; 81.15.Gh; 81.70.Fy; 61.72.Vv; A1. Doping; A1. Ordering; A1. Reflectance anisotropy spectroscopy; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. AlGaAs; B1. AlGaInP;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه