دانلود مقالات ISI درباره A2. Vertical Gradient Freeze + ترجمه فارسی

Crystallization of 640 kg mc-silicon ingots under traveling magnetic field by using a heater-magnet module

Keywords: A1. Directional solidification; A1. Magnetic fields; A2. Vertical gradient freeze; B2. Multi-crystalline silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Vertical gradient freeze growth of ZnGeP2 crystals for nonlinear optical applications

Keywords: A1. Optical spectra; A1. X-ray diffraction; A2. Vertical gradient freeze; B2. Non-linear optic crystals

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Characterization of mc-Si directionally solidified in travelling magnetic fields

Keywords: A1. Directional solidification; A1. Magnetic fields; A1. Impurities; A2. Vertical gradient freeze; B2. Multi-crystalline silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Investigation of crystal growth of 50 mm CZT using SiC pedestal and pBN crucible

Keywords: A2. Vertical gradient freeze; B1. CdZnTe; B1. pBN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

A fixed-grid method for transient simulations of dopant segregation in VGF-RMF growth

Keywords: A1. Directional solidification; A1. Solidification; A1. Stirring; A2. Vertical gradient freeze;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

About the formation and avoidance of C and N related precipitates during directional solidification of multi-crystalline silicon from contaminated feedstock

Keywords: A1. Directional solidification; A1. Impurities; A1. Mass transfer; A2. Vertical gradient freeze; B2. Multi-crystalline silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

The influence of growth rate on the formation and avoidance of C and N related precipitates during directional solidification of multi crystalline silicon

Keywords: A1. Directional solidification; A1. Growth rate; A1. Impurities; A1. SiC, Si3N4 Precipitates; A2. Vertical gradient freeze; B2. Multi-crystalline silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Modeling of incorporation of O, N, C and formation of related precipitates during directional solidification of silicon under consideration of variable processing parameters

Keywords: A1. Numerical simulation; A1. Directional solidification; A1. Impurities; A1. Mass transfer; A2. Vertical gradient freeze; B2. Multi-crystalline silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه