کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1791889 1023624 2012 11 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A fixed-grid method for transient simulations of dopant segregation in VGF-RMF growth
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
A fixed-grid method for transient simulations of dopant segregation in VGF-RMF growth
چکیده انگلیسی
► A fixed-grid method has been adopted for simulations of the dopant segregation. ► The Stefan conditions are formulated in source terms in conservation equations. ► The solid interface is tracked implicitly. ► The formation of dopant striations is well reproduced by numerical simulations. ► RMF is found to have a significant impact on the axial mixing of the melt.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 339, Issue 1, 15 January 2012, Pages 75-85
نویسندگان
, , ,