کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1791889 | 1023624 | 2012 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A fixed-grid method for transient simulations of dopant segregation in VGF-RMF growth
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠A fixed-grid method has been adopted for simulations of the dopant segregation. ⺠The Stefan conditions are formulated in source terms in conservation equations. ⺠The solid interface is tracked implicitly. ⺠The formation of dopant striations is well reproduced by numerical simulations. ⺠RMF is found to have a significant impact on the axial mixing of the melt.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 339, Issue 1, 15 January 2012, Pages 75-85
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 339, Issue 1, 15 January 2012, Pages 75-85
نویسندگان
Petr A. Nikrityuk, Olf Pätzold, Michael Stelter,