| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 1791889 | 1023624 | 2012 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												A fixed-grid method for transient simulations of dopant segregation in VGF-RMF growth
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												
											موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													فیزیک و نجوم
													فیزیک ماده چگال
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												 
												چکیده انگلیسی
												⺠A fixed-grid method has been adopted for simulations of the dopant segregation. ⺠The Stefan conditions are formulated in source terms in conservation equations. ⺠The solid interface is tracked implicitly. ⺠The formation of dopant striations is well reproduced by numerical simulations. ⺠RMF is found to have a significant impact on the axial mixing of the melt.
											ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 339, Issue 1, 15 January 2012, Pages 75-85
											Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 339, Issue 1, 15 January 2012, Pages 75-85
نویسندگان
												Petr A. Nikrityuk, Olf Pätzold, Michael Stelter,