کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
745929 1462209 2016 4 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analytical approximation of the InGaZnO thin-film transistors surface potential
ترجمه فارسی عنوان
تقریب تحلیلی از پتانسیل سطحی ترانزیستور فیلم نازک InGaZnO
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
کلمات کلیدی
طراحی کامپیوتری (CAD)؛ اکسید روی گالیم ایندیم (IGZO)؛ ترانزیستور فیلم نازک (TFT)؛ پتانسیل سطحی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی

Surface-potential-based mathematical models are among the most accurate and physically based compact models of thin-film transistors, and in turn of indium gallium zinc oxide TFTs, available today. However, the need of iterative computations of the surface potential limits their computational efficiency and diffusion in CAD applications. The existing closed-form approximations of the surface potential are based on regional approximations and empirical smoothing functions that could result not accurate enough in particular to model transconductances and transcapacitances. In this work we present an extremely accurate (in the range of nV) and computationally efficient non-iterative approximation of the surface potential that can serve as a basis for advanced surface-potential-based indium gallium zinc oxide TFTs models.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 124, October 2016, Pages 1–4
نویسندگان
,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت