Keywords: هدایت متقابل; Ambipolar conduction; Dielectric pocket; High-k dielectric pocket; Low-k dielectric pocket; Tunnel FET;
مقالات ISI هدایت متقابل (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: هدایت متقابل; Ambipolar conduction; Charge plasma; Sub-threshold swing; Gate to drain capacitance; Work function engineering;
Study of metal strip insertion and its optimization in doping less TFET
Keywords: هدایت متقابل; Ambipolar conduction; Work function engineering; Metal strip; Gate to drain capacitance; Band to band tunneling;
Performance improvement of doped TFET by using plasma formation concept
Keywords: هدایت متقابل; Ambipolar conduction; Band to band tunneling; Material solubility; Surface plasma formation; Threshold voltage;
Comparative investigation of novel hetero gate dielectric and drain engineered charge plasma TFET for improved DC and RF performance
Keywords: هدایت متقابل; Charge plasma; Band to band tunneling; Ambipolar conduction; Work function engineering; Sub-threshold swing; Gate to drain capacitance;
Spacer engineered Trigate SOI TFET: An investigation towards harsh temperature environment applications
Keywords: هدایت متقابل; Trigate TFET; Band-to-band tunneling (BTBT); Subthreshold swing (SS); High-k spacer; Ambipolar conduction; Reliability
Effect of asymmetrical double-pockets and gate-drain underlap on Schottky barrier tunneling FET: Ambipolar conduction vs. high frequency performance
Keywords: هدایت متقابل; SB-TFET; Gate-drain underlapping; Double pockets; Ambipolar conduction; Unit-gain cutoff frequency (fT)
Modeling of carbon nanotube field-effect transistor with nanowelding treatment
Keywords: هدایت متقابل; 85.35.Kt; 73.63.FgCarbon nanotube field-effect transistor (CNFET); Schottky barrier (SB); Ambipolar conduction; Newton–Raphson iteration