Keywords: اچینگ آنودین; Betavoltaic effect; Anodic etching; The microchannel silicon; Radioisotope 63Ni;
مقالات ISI اچینگ آنودین (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: اچینگ آنودین; Porous Si; Nano/microstructure; Anodic etching; Membrane electrode assembly; Microfuel cell
Formation of InP nanomembranes and nanowires under fast anodic etching of bulk substrates
Keywords: اچینگ آنودین; Anodic etching; Nanomembrane; Nanowire; Porous InP
Fabrication and structure modulation of high-aspect-ratio porous GaAs through anisotropic chemical etching, anodic etching, and anodic oxidation
Keywords: اچینگ آنودین; GaAs; Porous structure; Anodic etching; Anisotropic chemical etching; Anodization;
Genetic algorithm based search of parameters for fabrication of uniform porous silicon nanostructure
Keywords: اچینگ آنودین; 81.16.Be; 73.22.−f; 73.63.−b; 85.35.−p; 71.15.DxPorous silicon; Porosity; Anodic etching; Conductivity; Uniformity; Genetic algorithm
Electrochemistry of anodic etching of 4H and 6H–SiC in fluoride solution of pH 3
Keywords: اچینگ آنودین; SiC; Electrochemistry; Anodic etching; Fluoride; Pore formation
Ordered arrays of metal nanotubes in semiconductor envelope
Keywords: اچینگ آنودین; Anodic etching; Semiconductor nanotemplate; Electrochemical deposition; Metal nanotubes
Electrochemical trench etching of silicon triggered via mechanical nanocontacts
Keywords: اچینگ آنودین; Silicon porosification; Anodic etching; Back-side illumination; Mechanical contacts; Scratching
Selective formation of porous layer on n-type InP by anodic etching combined with scratching
Keywords: اچینگ آنودین; Porous layer; n-type InP; Scratching; Anodic etching; Selective formation;
Electrochemical processes for formation, processing and gate control of III–V semiconductor nanostructures
Keywords: اچینگ آنودین; III–V semiconductors; Anodic etching; Nanopore; Electrodeposition; Schottky barrier