دانلود مقالات ISI درباره B1 Nitrides + ترجمه فارسی

High growth rate GaN on 200 mm silicon by metal-organic vapor phase epitaxy for high electron mobility transistors

Keywords: A3 Metalorganic vapor phase epitaxy; B1 Nitrides; B3 High electron mobility transistors; A1 Characterization;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

The role of Cr on the electronic and optical properties of InCrN: A first principles study

Keywords: B2 InCrN; A1 First principles; B1 Nitrides; B2 Semiconducting indium compounds; B2 Magneto-optic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Structural and electrical properties analysis of InAlGaN/GaN heterostructures grown at elevated temperatures by MOCVD

Keywords: A1 Characterization; A1 Surface structure; A3 Metalorganic chemical vapor deposition; B1 Nitrides; B2 Semiconducting III-V materials; B3 High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 19 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Structures and stability of polar GaN thin films on ScAlMgO4 substrate: An ab initio-based study

Keywords: A1 Computer simulation; A1 Interfaces; B1 Nitrides; B2 Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

In-situ passivation of quaternary barrier InAlGaN/GaN HEMTs

Keywords: A3 Metalorganic vapour phase epitaxy; B1 nitrides; B2 dielectric materials; B3 High electron mobility transistors; A1 surface structure;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

AlGaN HEMTs on patterned resistive/conductive SiC templates

Keywords: A1 Crystal morphology; A3 Metalorganic chemical vapor deposition; B1 Nitrides; B2 Semiconducting III-V materials; B3 High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Ultraviolet light emitting diodes by ammonia molecular beam epitaxy on metamorphic (202¯1) AlGaN/GaN buffer layers

Keywords: A3 Molecular beam epitaxy; B1 Nitrides; B2 Semiconducting gallium compounds; B3 Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Compensation effect of Mg-doped a- and c-plane GaN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: A1 Crystal structure; A1 Doping; B1 Nitrides; B2 Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه