دانلود مقالات ISI درباره B2 ترکیبات نیمه هادی آلومینیوم + ترجمه فارسی

Growth of thick AlxGa1−xN ternary alloy by hydride vapor-phase epitaxy

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هادی آلومینیوم; 61.10.Nz; 61.66.Dk; 81.05.Ea; 81.15.Kk; A1. Crystal structure; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B1. Alloys; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Improvement of AlN crystalline quality with high epitaxial growth rates by hydride vapor phase epitaxy

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هادی آلومینیوم; 61.10.Nz; 68.37.−d; 73.61.Ey; 81.05.Ea; 81.15.Kk; A1. Crystal structure; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Polarity dependence of AlN {0 0 0 1} decomposition in flowing H2

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هادی آلومینیوم; 68.55.Jk; 81.05.Ea; 81.15.Kk; 82.30.LpA1. Surface processes; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Wet KOH etching of freestanding AlN single crystals

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هادی آلومینیوم; 81.65.Cf; 81.05.Ea; 61.72.Ff; 61.72.LkA1. Crystal structure; A1. Defects; A1. Etching; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

MOCVD growth and electrical studies of p-type AlGaN with Al fraction 0.35

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هادی آلومینیوم; 81.15.Gh; 73.61.EyA1. Doping; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitride; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Direct heteroepitaxial growth of thick AlN layers on sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هادی آلومینیوم; 81.05.Ea; 81.15.Kk; 68.37.−d; 61.10.Nz; 68.55.JkA1. Substrates; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Aluminum nitride; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Self-assembled InAs quantum dots grown on InP (3 1 1)B substrates: Role of buffer layer and amount of InAs deposited

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هادی آلومینیوم; 81.07.Ta; 81.15.Hi; 81.05.EaA1. Atomic force microscopy; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting aluminum compounds; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting indium phosphide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

What causes rough surface in AlN crystal growth?

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هادی آلومینیوم; 61.72.Ww; 63.20.Dj; 63.20.Pw; 68.47.FgA1. Crystal morphology; A2. Growth from vapor; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Quantitative analysis of variant III CuAu-I-type ordering of AlxGa1−xAs on (1 1 0), (1 1 1)A and (0 0 1) GaAs substrates using X-ray diffraction

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هادی آلومینیوم; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Substrates; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of thick AlN layers by hydride vapor-phase epitaxy

Keywords: B2 ترکیبات نیمه هادی آلومینیوم; 61.10.Nz; 68.37.−d; 81.05.Ea; 81.15.Kk; A1. Crystal structure; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه