B2 آرسنید گالیوم نیمه هادی

در این صفحه تعداد 153 مقاله تخصصی درباره B2 آرسنید گالیوم نیمه هادی که در نشریه های معتبر علمی و پایگاه ساینس دایرکت (Science Direct) منتشر شده، نمایش داده شده است. برخی از این مقالات، پیش تر به زبان فارسی ترجمه شده اند که با مراجعه به هر یک از آنها، می توانید متن کامل مقاله انگلیسی همراه با ترجمه فارسی آن را دریافت فرمایید.
در صورتی که مقاله مورد نظر شما هنوز به فارسی ترجمه نشده باشد، مترجمان با تجربه ما آمادگی دارند آن را در اسرع وقت برای شما ترجمه نمایند.
مقالات ISI B2 آرسنید گالیوم نیمه هادی (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت
Keywords: B2 آرسنید گالیوم نیمه هادی; 81.05.Ea; 82.33.Ya; 68.47.Fg; A1. Interface; A1. Surface processes; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting indium gallium phosphide;
دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه
Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت
Keywords: B2 آرسنید گالیوم نیمه هادی; 39.10.+j; 52.50.Dg; 72.80.Ey; 78.55.Cr; 78.66.Fd; 81.05.Ea; 81.10.−h; 81.15.Hi; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. Semiconducting III-V materials;
دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه