کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829978 | 1524501 | 2005 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of residual dislocations in VGF-grown Si-doped GaAs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Investigation of residual dislocations in VGF-grown Si-doped GaAs Investigation of residual dislocations in VGF-grown Si-doped GaAs](/preview/png/9829978.png)
چکیده انگلیسی
The examination of the growth in the seed well shows that the dislocation structures found in the crystal are partly already formed in the seed well. The growth in the seed well leads to a reduction of the EPD although the solid-liquid interface is concave. A reduction of the EPD in the seed well is accomplished by annihilation of dislocations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 276, Issues 3â4, 1 April 2005, Pages 335-346
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 276, Issues 3â4, 1 April 2005, Pages 335-346
نویسندگان
B. Birkmann, J. Stenzenberger, M. Jurisch, J. Härtwig, V. Alex, G. Müller,