Keywords: پالایش کولم; Bilayer graphene; Double layer; Conductivity; Coulomb scattering;
مقالات ISI پالایش کولم (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: پالایش کولم; Electron microscopy; Electron diffraction; Refractive index; Phase grating approximation; Coulomb scattering; Scattering cross-sections;
Electrical conductivity of Dirac/Schrödinger hybrid electron systems at finite temperature
Keywords: پالایش کولم; Bilayer graphene; Two-dimensional electron gas; Double layer; Conductivity; Coulomb scattering;
On the modeling of Coulomb scattering in p-MOSFETs with hafnium based metal gate stacks
Keywords: پالایش کولم; Device modeling; Coulomb scattering; Hole mobility; Higk-k dielectrics; HfO2; p-MOSFETs
An in-depth Monte Carlo study of low-field mobility in ultra-thin body DGMOSFETs for modeling purposes
Keywords: پالایش کولم; Double-gate MOSFETs; Mobility simulation and modeling; Monte Carlo simulation; Coulomb scattering; Surface-roughness; Mobility modeling
Unexpected impact of germanium content in SiGe bulk PMOSFETs
Keywords: پالایش کولم; PMOSFETs; Germanium; Mobility; Threshold voltage; Coulomb scattering; Phonon scattering
A quantum mechanical treatment of low frequency noise in high-K NMOS transistors with ultra-thin gate dielectrics
Keywords: پالایش کولم; 1/f Noise model; Coulomb scattering; Surface roughness; Quantum mechanics; High-K dielectrics; Scattering; Traps;
Quantum-mechanical models for photo-ionization: Uni-directional electron re-scattering by a laser pulse
Keywords: پالایش کولم; Coulomb scattering; Uni-directional electron re-scattering; Ionization
A field-effect electron mobility model for SiC MOSFETs including high density of traps at the interface
Keywords: پالایش کولم; 4H-SiC MOSFETs; Mobility model; Field-effect mobility; Interface traps; Coulomb scattering
Low-frequency noise and Coulomb scattering in Si0.8Ge0.2 surface channel pMOSFETs with ALD Al2O3 gate dielectrics
Keywords: پالایش کولم; 85.30.Tv; 73.50.Td; 73.61.Ng; 73.40.Qv; Low-frequency noise; 1/f noise; Correlated mobility fluctuations; Coulomb scattering; High-κ; Al2O3;
An algorithm for computing screened Coulomb scattering in Geant4
Keywords: پالایش کولم; 34.50; 34.50.B; 61.85; 02.50.N; 02.70.L; Geant4; Screened scattering; Coulomb scattering; Elastic recoil; Nuclear stopping power; NIEL, Non-Ionizing Energy Loss; TRIM; SRIM; Displacement damage;