کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748580 | 1462254 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A quantum mechanical treatment of low frequency noise in high-K NMOS transistors with ultra-thin gate dielectrics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Including surface roughness in the noise mechanism - a new consideration in theory. ⺠Theoretical models for remote Coulomb scattering and surface roughness scattering. ⺠A quantum mechanical treatment of low-frequency noise. ⺠Good agreement in IV and noise characteristics between simulation and experiments.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 78, December 2012, Pages 131-135
Journal: Solid-State Electronics - Volume 78, December 2012, Pages 131-135
نویسندگان
Xiaochen Zhang, Marvin H. White,