Keywords: گودال اچ; Diamond; Etch pit; Point-bottom shape; Flat-bottom shape; Oxygen/hydrogen plasma; Polishing damage; Dislocation;
مقالات ISI گودال اچ (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: گودال اچ; Light-emitting diode; ZnO; Etch pit; Light extraction
Revelation of dislocations in HVPE GaN single crystal by KOH etching with Na2O2 additive and cathodoluminescence mapping
Keywords: گودال اچ; GaN; HVPE; Dislocation; Etch pit; Cathodoluminescence; TEM;
Modelling surface restructuring by slow highly charged ions
Keywords: گودال اچ; Surface modification; Nano-hillock; Etch pit; Molecular dynamics
Tridimensional morphology and kinetics of etch pit on the {0 0 0 1} plane of sapphire crystal
Keywords: گودال اچ; Sapphire crystal; Etch pit; Tridimensional morphology; Etch kinetics; Structure origin; Kinematic wave
Optimization of wire array formation in p-type silicon for solar cell application
Keywords: گودال اچ; Electrochemical etching; Silicon wire array; Solar cell; Etch pit
Catalytic etching of {100}-oriented diamond coating with Fe, Co, Ni, and Pt nanoparticles under hydrogen
Keywords: گودال اچ; Oriented diamond coating; Gasification; Etching; Etch pit; Nano-channel; Metal particle
Evolution of dislocation structure and deformation resistance in creep exemplified on single crystals of CaF2
Keywords: گودال اچ; Creep; Work hardening; Etch pit; Free dislocations; Subgrain boundaries; Modeling of deformation resistance
Development of an automated multisample scanning system for nuclear track etched detectors
Keywords: گودال اچ; Nuclear track etched detector; CR-39; Etch pit; Scanning system; Robotic sample loader; Neutron dosimetry;
The surface topography of GaN grown on Si (1 1 1) substrate before and after wet chemical etching
Keywords: گودال اچ; 78.66.Fd; 68.55.Ln; 68.55.−aGaN; Dislocation interaction; Etch pit