کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729129 | 1461439 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The surface topography of GaN grown on Si (1 1 1) substrate before and after wet chemical etching
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Surface topography of GaN layer grown on Si (1 1 1) using metalorganic chemical vapor deposition before and after etching were investigated by plan-view transmission electron microscopy and scanning electron microscopy. Different shape of etch pits appeared on GaN with different thickness, and typical pits which reflected the dislocation interaction always occurred at the junction of sub-grains. The mechanism was discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issues 1–3, February–June 2006, Pages 403–406
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issues 1–3, February–June 2006, Pages 403–406
نویسندگان
Liwei Zhao, Caichi Liu, Xiaoyun Teng, Shilong Sun, Wei Zhang, Junshan Zhu, Yuchun Feng, Baoping Guo,