کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
77491 49283 2016 9 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Efficiency limit of InAs/GaAs quantum dot solar cells attributed to quantum dot size effects
ترجمه فارسی عنوان
حد کارایی سلول های خورشیدی نقطه کوانتومی InAs/GaAs منسوب به اثر اندازه نقطه کوانتومی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
خدمات تولید محتوا

این مقاله ISI می تواند منبع ارزشمندی برای تولید محتوا باشد.

  • تولید محتوا برای سایت و وبلاگ
  • تولید محتوا برای کتاب
  • تولید محتوا برای نشریات و روزنامه ها
  • و...

پایگاه «دانشیاری» آمادگی دارد با همکاری مجموعه «شهر محتوا» با استفاده از این مقاله علمی، برای شما به زبان فارسی، تولید محتوا نماید.

تولید محتوا
با 10 درصد تخفیف ویژه دانشیاری
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی شیمی کاتالیزور
چکیده انگلیسی


• The effect of quantum dot (QD) size on the optical and electrical properties of InAs/GaAs QD solar cells (QDSCs) was investigated.
• The QD size effects on the p-n junction electric fields (Fpn) and the efficiencies (η) of the QDSCs were revealed.
• The QD size affects η and Fpn due to the balance between the carrier generation and exhaustion processes through trapping and re-capturing.

The effects of quantum dot (QD) size on the optical and electrical properties of InAs/GaAs QD solar cells (QDSCs) were investigated. QDSCs with varying InAs QD size were fabricated by controlling the total InAs deposition thickness (θ) from 0 to 3.0 mono-layers (ML). The optical and electrical properties of the QDSCs were investigated using photoluminescence (PL), time-resolved PL (TRPL), photoreflectance (PR) spectroscopy, capacitance-voltage (C-V), and current-voltage (J-V) measurements. The QD size effects on the p-n junction electric fields (Fpn) and the efficiencies (η) of the QDSCs were revealed. The QDSCs had a maximum η of 21.17% for θ=2.0 ML (the efficiency is enhanced by 17.4% over the reference GaAs-SC) and minimized Fpn (113 kV/cm) by an enhanced photovoltaic effect caused by improved carrier generation. We find that these optimal properties result from a balance between carrier generation and exhaustion processes through trapping and re-capturing by defects and relatively large QDs.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 155, October 2016, Pages 70–78
نویسندگان
,,,,,,,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت