![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Temperature dependent lasing characteristics of InAs/InP(100) quantum dot laser
Keywords: اپتیکاسیون پروانه مولکولی منبع گاز; Semiconductor laser; Quantum dot laser; Indium phosphide; Gas source molecular beam epitaxy