دانلود مقالات ISI درباره دروازه دی الکتریک + ترجمه فارسی

Investigation of voltage-swing effect and trap generation in high-k gate dielectric of MOS devices by charge-pumping measurement

Keywords: دروازه دی الکتریک; High-k; Gate dielectric; MOS devices; Charge-pumping

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Electrical characterization of mica as an insulator for organic field-effect transistors

Keywords: دروازه دی الکتریک; 73.61.Ph; 73.40.Qv; 81.05.Lg; 85.30.TvOrganic field-effect transistor; Mica; Conducting polymer; Mobility; Gate dielectric; Substrate

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Microstructure and dielectric properties of La2O3 doped amorphous SiO2 films as gate dielectric material

Keywords: دروازه دی الکتریک; 77.55.+f; 73.40.Qv; 81.15.Fg; High-k; Gate dielectric; La2O3 doped SiO2; PLD;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Evaluation of trap creation and charging in thin SiO2 using both SCM and C-AFM

Keywords: دروازه دی الکتریک; C-AFM; MOS; Gate dielectric; Charge trapping

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Composition, stability and oxygen transport in lanthanum and hafnium aluminates thin films on Si

Keywords: دروازه دی الکتریک; 77.55.+fHigh-κ dielectric; Thermal stability; Oxygen incorporation; Gate dielectric; HfAlxOy; LaAlO3

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Stability of pentacene organic field effect transistors with a low-k polymer/high-k oxide two-layer gate dielectric

Keywords: دروازه دی الکتریک; Organic field effect transistors; Gate dielectric; Stability; Bias stress

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

The use of narrow nuclear resonances in the study of alternative metal-oxide–semiconductor structures

Keywords: دروازه دی الکتریک; 68.60.−p; 68.55.−a; 73.61.Ng; 73.40.QvNRP; Gate dielectric; SiC; Metal gate; Atomic transport

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Modeling growth rate of HfO2 thin films grown by metal–organic molecular beam epitaxy

Keywords: دروازه دی الکتریک; HfO2; Gate dielectric; Thin film; Process modeling; MOMBE

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effects of low temperature annealing on the ultrathin La2O3 gate dielectric; comparison of post deposition annealing and post metallization annealing

Keywords: دروازه دی الکتریک; La2O3; High-k; Gate Dielectric; Post-Deposition Annealing; Post-Metallization Annealing; MOSFET;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

HfO2/spacer-interface breakdown in HfO2 high-κ/poly-silicon gate stacks

Keywords: دروازه دی الکتریک; gate dielectric; HfO2/spacer-interface; breakdown; high-κ; source/drain extension; nMOSFETs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

AlGaAs/InGaAs metal-oxide-semiconductor pseudomorphic high-electron-mobility transistor with a liquid phase oxidized AlGaAs as gate dielectric

Keywords: دروازه دی الکتریک; 73.40.Qv; 73.61.Ey; MOS; PHEMT; Gate dielectric; Liquid phase;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth behavior of high k LaAlO3 films on Si by metalorganic chemical vapor deposition for alternative gate dielectric application

Keywords: دروازه دی الکتریک; 82.33.Ya; 68.55.−a; 77.55.+f; 81.40.−z; LaAlO3 film; MOCVD; Gate dielectric; Growth mechanism;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Characterization of ultra-thin SiO2 by capacitance-voltage and charge pumping measurements

Keywords: دروازه دی الکتریک; Charge pumping; Ultra-thin SiO2; Gate dielectric; MOSFET; Quantum effects;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Scaling CMOS: Finding the gate stack with the lowest leakage current

Keywords: دروازه دی الکتریک; High-k; Gate dielectric; Leakage current; k-Value; Barrier height;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Development of organic thin film transistors based on flexible substrates

Keywords: دروازه دی الکتریک; Organic field effect transistor (OFET); Thiophene derivatives; Gate dielectric; Flexible circuitry;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Characterization and process effects of HfO2 thin films grown by metal-organic molecular beam epitaxy

Keywords: دروازه دی الکتریک; HfO2; Gate dielectric; Thin film; Electrical property; MOMBE;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه