![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Impact of implantation on the properties of N2O-nitrided oxides of p+- and n+-gate MOS devices
Keywords: شکست سخت; 61.80.Jh; 77.22.Jp; 73.61.Ng; Border traps; Implantation; Hard breakdown; Nitrided oxides;