![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
DLTS spectra of silicon diodes with p+-n-junction irradiated with high energy krypton ions
Keywords: ایمپلنت با یون بالا; Deep-level transient spectroscopy; Irradiation-induced defects; Silicon; Diode; High energy ion implantation;