![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Performance analysis of S-parameter in N-MOSFET devices after thermal accelerated tests
Keywords: اثرات حامل داغ; Power MOSFET; S-parameters; Hot carrier effects; High temperature; Thermal accelerated tests; Reliability;