![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Preparation of freestanding GaN wafer by hydride vapor phase epitaxy on porous silicon
Keywords: Epitaxy فاز هیدرید بخار; Crystal morphology; Hydride vapor phase epitaxy; Gallium compounds; Semiconducting Ш -V materals;