![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Properties of Si quantum dot/SiOx porous film structures synthesized using hydrogen fluoride technology
Keywords: طیف فروسرخ; Silicon quantum dots; Oxide matrix; Chemical treatment; IR spectroscopy; Photoluminescence