![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Investigation of GaN-based vertical-injection light-emitting diodes with GaN nano-cone structure by ICP etching
Keywords: دیود (LED); Light-emitting diode (LED); Nano-cone; Inductively coupled plasma (ICP)