کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1543123 | 1512838 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
InGaN green light emitting diodes with deposited nanoparticles
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We grew an InGaN/GaN-based light-emitting diode (LED) wafer by metal–organic chemical vapor deposition (MOCVD), fabricated devices by optical lithography, and successfully deposited ellipsoidal Ag nano-particles by way of e-beam lithography on top. The diodes exhibited good device performance, in which we expected an enhancement of the radiated intensity by the simulations and emission measurements. The obtained results showed the feasibility of plasmon-assisted LED emission enhancement.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications - Volume 5, Issues 2–3, October 2007, Pages 86–90
Journal: Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications - Volume 5, Issues 2–3, October 2007, Pages 86–90
نویسندگان
Bayram Butun, Jean Cesario, Stefan Enoch, Romain Quidant, Ekmel Ozbay,