![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Low-frequency noise of n-type triple gate FinFETs fabricated on standard and 45° rotated substrates
Keywords: Silicon-on-insulator; FinFET; Low-frequency noise; 1/f Noise; Lorentzian noise