Keywords: Ionization; Diffusion; Metal/insulator interface; Electric field; First-principles calculation; Metal-induced gap states;
مقالات ISI (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: 2D; Two-Dimensional; 2DEG; Two-Dimensional Electron Gas; 2DPS; Two-Dimensionally-Periodic Slab; 3D; Three-Dimensional; AES; Auger Electron Spectroscopy; AFM; Atomic Force Microscopy; ARUPS; Angle-Resolved Ultraviolet Photoemission Spectroscopy; B3LYP; Bec
Effective Schottky barrier height lowering technique for InGaAs contact scheme: DMIGS and Dit reduction and interfacial dipole formation
Keywords: SBH; Schottky barrier height; MIGS; metal-induced gap states; MIS; metal-interlayer-semiconductor; InGaAs; III-V compound semiconductor; Interfacial dipole; Contact resistance; Passivation;
Electrical characterization of Schottky contacts to N-polar GaN
Keywords: GaN; N-polar; Schottky; Metal-induced gap states
The study on Schottky contact between Au and clean CdZnTe
Keywords: CdZnTe; Schottky contact; LEED; SRPES; XPS; Metal-induced gap states;