Keywords: اپیتاکسی فاز بخار فلزی; InAs/InP QD material; Mode-locked laser; Fabry-Perot cavity; Metal-organic vapor phase epitaxy; Femtosecond pulses
مقالات ISI اپیتاکسی فاز بخار فلزی (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Study of growth properties of InAs islands on patterned InP substrates defined by focused ion beam
Keywords: اپیتاکسی فاز بخار فلزی; Growth models; Nanostructures; Nucleation; X-ray diffraction; Arsenates; Metal-organic vapor phase epitaxy;
Growth rate and composition of InGaN during InGaN/GaN quantum wells selective area metal-organic vapor phase epitaxy considering surface diffusion
Keywords: اپیتاکسی فاز بخار فلزی; Computer simulation; Diffusion; Mass transfer; Metal-organic vapor phase epitaxy; Nitrides; Semiconducting materials
Characterization of the post-thermal annealing effect for p-GaAs/i-InGaAsN/n-GaAs hetero-junction solar cells
Keywords: اپیتاکسی فاز بخار فلزی; Dilute nitrides; Metal-organic vapor phase epitaxy; Semiconducting III–V materials; 1-eV materials
Structural and optical properties of heteroepitaxial beta Ga2O3 films grown on MgO (100) substrates
Keywords: اپیتاکسی فاز بخار فلزی; Thin films; Domain structure; Optical properties; Metal-organic vapor phase epitaxy; Gallium oxide
III-V on silicon: Observation of gallium phosphide anti-phase disorder by low-energy electron microscopy
Keywords: اپیتاکسی فاز بخار فلزی; Anti-phase disorder; Low-energy electron microscopy; Polar on non-polar interface; P-rich GaP(100) surface; Metal-organic vapor phase epitaxy; III-V integration on Si(100);
Removal of stacking faults in Ge grown on Si through nanoscale openings in chemical SiO2
Keywords: اپیتاکسی فاز بخار فلزی; Silicon; Germanium; Gallium arsenide; Silicon dioxide; Molecular beam epitaxy; Metal-organic vapor phase epitaxy; Stacking fault; Threading dislocation
Influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs
Keywords: اپیتاکسی فاز بخار فلزی; Quantum dots; Metal-organic vapor phase epitaxy; Indium arsenide; Gallium arsenide; Photoluminescence; Atomic force microscopy