![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
The effect of the interfacial states by swift heavy ion induced atomic migration in 4H-SiC Schottky barrier diodes
Keywords: رابط فلز نیمه هادی; Silicon carbide; Schottky barrier diode; Metal-semiconductor interface; Swift heavy ion irradiation;