![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
GaN-based Schottky barrier ultraviolet photodetectors with graded doping on patterned sapphire substrates
Keywords: ویژگی های نویز; GaN; Ultraviolet photodetectors; Quantum efficiency; Noise characteristics;