![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Materials and processing issues in vertical GaN power electronics
Keywords: ترانزیستور قدرت; Vertical GaN; Power transistor; Rectifier; Corner rounding; Edge termination; GaN-on-GaN; P-GaN activation; Implantation; Power electronics; Device processing;