![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Investigation of InP/In0.65Ga0.35As metamorphic p-channel doped-channel field-effect transistor
Keywords: پوسیدومورفیک; InP/InGaAs; Metamorphic; p-channel; Field-effect transistor; Pseudomorphic; Transconductance;