![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Influence of highly-charged 209Bi33+ irradiation on structure and optoelectric characteristics of GaN epilayer
Keywords: طیف پراکندگی رامان; GaN; Highly-charged bismuth ion irradiation; AFM; XPS; Raman scattering spectrum; PL;