Keywords: اثرات خود بخودی; Fatigue; Unfilled polymers; Continuum damage mechanics; Self-heating effects; Cyclic plasticity;
مقالات ISI اثرات خود بخودی (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: اثرات خود بخودی; Short channel effect (SCE); Drain-induced barrier lowering (DIBL); Self-heating effects; FinFET; Three dimensional simulations;
A new technique in LDMOS transistors to improve the breakdown voltage and the lattice temperature
Keywords: اثرات خود بخودی; LDMOS; SOI; Breakdown voltage; Self-heating effects
A novel partial SOI LDMOSFET with periodic buried oxide for breakdown voltage and self heating effect enhancement
Keywords: اثرات خود بخودی; Periodic buried oxide partial SOI; Breakdown voltage; Self-heating effects; Electric field; Two dimensional (2-D) simulation;
In-depth analysis and modelling of self-heating effects in nanometric DGMOSFETs
Keywords: اثرات خود بخودی; DGMOSFET; Self-heating effects; Compact modelling; Thermal resistance
A novel nanoscale MOSFET with modified buried layer for improving of AC performance and self-heating effect
Keywords: اثرات خود بخودی; Self-heating effects; Silicon on insulator; Capacitance; 2D device simulation
Development of Time-resolved UV Micro-Raman Spectroscopy to measure temperature in AlGaN/GaN HEMTs
Keywords: اثرات خود بخودی; AlGaN/GaN; High-electron mobility transistors (HEMTs); Micro-Raman Spectroscopy; Self-heating effects; Time-resolved; Ultraviolet laser
Determination of the average channel temperature of GaN MOSHFETs under continuous wave and periodic-pulsed RF operational conditions
Keywords: اثرات خود بخودی; Self-heating effects; AlGaN; GaN; AlGaN/GaN metal–oxide–semiconductor heterostructure field effect transistors (MOSHFETs); SiC substrate; Sapphire substrate; Temperature profile; Thermal resistance; Thermal conductivity
Thermally-driven motion of current filaments in ESD protection devices
Keywords: اثرات خود بخودی; ESD phenomena; Moving current filament; Thermal mapping; Self-heating effects; Impact ionization; Avalanche transistor; Smart power devices;